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SiCMOSFET器件的商業(yè)化[ 03-19 15:59 ]: 近20多年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍于硅材料的熱導(dǎo)率，因此SiC功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)合。其中SiCMOSFET是最為成熟、應(yīng)用最廣的SiC功率開關(guān)器件，具有高開關(guān)速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiCMOSFET是一種具有絕緣柵結(jié)構(gòu)的單極性器件，關(guān)斷過程不存在拖尾電流，降低了開關(guān)損耗，進(jìn)而減小散熱器體積；并且其開關(guān)速度快，開關(guān)頻率高，有利于減小變換器中電感

碳化硅功率器件相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)通過[ 03-18 15:54 ]: 據(jù)中國(guó)粉體網(wǎng)訊近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學(xué)聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國(guó)）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學(xué)研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）管理委員會(huì)審核，根據(jù)《CASA管理和標(biāo)準(zhǔn)制修訂細(xì)則》，上述團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案立項(xiàng)通過，分配編號(hào)為：CASA024。

碳化硅晶片生產(chǎn)流程及清洗技術(shù)[ 03-17 14:52 ]: 碳化硅晶片經(jīng)過清洗可以有效去除表面沾污和雜質(zhì)，同時(shí)保證不引入新的雜質(zhì)，從而使最終的碳化硅晶片產(chǎn)品滿足半導(dǎo)體下游客戶的要求。傳統(tǒng)的硅襯底材料使用RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗方法來去除材料表面的污染，但是碳化硅是一種極性晶體，表面帶有一定的電荷，吸附污染物后變得更加難以清洗。

低翹曲度碳化硅晶體切割技術(shù)難點(diǎn)[ 03-16 15:44 ]: 碳化硅的莫氏硬度為9.5，硬度與金剛石接近，只能用金剛石材料進(jìn)行切割，切割難度大，保證切割過程穩(wěn)定獲得低翹曲度的晶片是技術(shù)難點(diǎn)之一。為了達(dá)到下游外延開盒即用的質(zhì)量水平，需要對(duì)碳化硅襯底表面進(jìn)行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并達(dá)到嚴(yán)苛的金屬、顆?？刂埔?。化學(xué)機(jī)械拋光屬于化學(xué)作用和機(jī)械作用相結(jié)合的技術(shù)，碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層相對(duì)容易去除的軟質(zhì)層，然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機(jī)械作用下去除軟質(zhì)層，在化學(xué)作用和機(jī)械作用的交替進(jìn)行的過程中完成表面拋光，過程較為

PVT碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)難點(diǎn)[ 03-15 15:42 ]: 目前碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法主要包括以下三種：液相法、高溫化學(xué)氣相沉積法、物理氣相傳輸法（PVT）。其中PVT法是目前SiC單晶生長(zhǎng)研究最多、最成熟的技術(shù)，其技術(shù)難點(diǎn)在于：（1）碳化硅單晶在2300°C以上高溫的密閉石墨腔室內(nèi)完成“固-氣-固”的轉(zhuǎn)化重結(jié)晶過程，生長(zhǎng)周期長(zhǎng)、控制難度大，易產(chǎn)生微管、包裹物等缺陷。（2）碳化硅單晶包括200多種不同晶型，但生產(chǎn)一般僅需一種晶型，生長(zhǎng)過程中易產(chǎn)生晶型轉(zhuǎn)變?cè)斐啥嘈蛫A雜缺陷，制備過程中單一特定晶型難以穩(wěn)定控制，例如目前主流的4H型。

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